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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 360mA
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订13个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订13个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:19
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

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    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:50V

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    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    功率:236mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:50V

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@25V

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    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:360mA

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    功率:236mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:50V

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:360mA

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@350mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.8Ω@360mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Microchip Mosfet场效应管 DN1509N8-G
    Microchip Mosfet场效应管 DN1509N8-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN1509N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@200mA,0V

    漏源电压:90V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45.8pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@270mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Microchip Mosfet场效应管 TN2524N8-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN2524N8-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2524N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.8Ω@360mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.8Ω@360mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BK,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BK,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@350mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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