采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：122492，"17+"：1290}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2417R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：122492，"17+"：1290}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2417R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：942}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1345-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：275mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
工作温度：150℃
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
栅极电荷：115nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
输入电容：1200pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
栅极电荷：24nC@10V
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
工作温度：150℃
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
栅极电荷：115nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
