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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
输入电容：1040pF@12V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
栅极电荷：12.7nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2305
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：46mΩ@4.1A，4.5V
栅极电荷：7.8nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
