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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 4.6A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@40V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:105mΩ

    漏源电压:3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8409DB-T1-E1 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8409DB-T1-E1 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8409DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:386pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:28mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:619pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1233
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:619pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:386pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:28mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2319ADS-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2319ADS-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@40V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS1135PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS1135PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:619pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:619pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8409DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8409DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8409DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2319ADS-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2319ADS-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:837pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK98180-100A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK98180-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:619pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@40V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:105mΩ

    漏源电压:3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
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