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    连续漏极电流
    4A
    行业应用
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    漏源电压
    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 4A
    行业应用: 工业
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:70+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:639
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2408-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2408-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":5270,"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2408-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:898
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4483}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2409-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1527
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:268pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4007
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N67NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N67NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N67NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39.1mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N58NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:129pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:84mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N58NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:129pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:84mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XN,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XN,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XN,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XN,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N58NU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N58NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:129pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:84mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N67NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N67NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N67NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39.1mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:268pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4N03R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
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