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    包装方式: 卷带(TR)
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订44个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订44个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19950,"23+":80800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF4905STRL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@42A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:44
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19950,"23+":80800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF4905STRL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@42A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19950,"23+":80800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF4905STRL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@42A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF4905STRL 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19950,"23+":80800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF4905STRL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@42A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN012-60QLJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN012-60QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:957pF@30V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8307TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8307TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3930,"23+":4683}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8307TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@15V

    连续漏极电流:42A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:482
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:42A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
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