采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：22847，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3129PT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@15V
连续漏极电流：140mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：22847，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3129PT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@15V
连续漏极电流：140mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR92PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：11Ω@140mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"07+"：22847，"MI+"：8000}
规格型号(MPN)：NTUD3129PT5G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：140mA
功率：125mW
输入电容：12pF@15V
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
