采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190 pF @ 13 V
连续漏极电流：15A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86240
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905 pF @ 75 V
连续漏极电流：4.6A（Ta），16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：51 毫欧 @ 4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：72W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190 pF @ 13 V
连续漏极电流：15A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：506，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6630A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：380，"21+"：2712，"22+"：21084，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
