销售单位：个

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

电阻比：47千欧

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：2.2千欧

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

电阻比：4.7

包装方式：卷带（TR）

最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

电阻比：47千欧

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：2.2千欧

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：4.7kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

电阻比：10

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：2个PNP-预偏置

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

电阻比：47千欧

集电集截止电流(Icbo)：1µA

输入电阻：10千欧

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：171000}

集射极击穿电压(Vceo)：50V€15V

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V€150@100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA€500mA

功率：300mW

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"17+"：23187}

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集射极击穿电压(Vceo)：50V，12V

输入电阻：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装方式：卷带（TR）

特征频率：280MHz

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA

功率：300mW

电阻比：10千欧

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.2V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

最小输入电压(VI(on))：1.6V@2mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

电阻比：2.1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.2V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

最小输入电压(VI(on))：1.6V@2mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：80000}

销售单位：个

输入电阻：47千欧

集电集截止电流(Icbo)：1µA

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：4.7kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：10

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：300mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：225MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

输入电阻：22kΩ

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V

输入电阻：47千欧

电阻比：47千欧

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：230MHz

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

电阻比：2.1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2.7V@2mA，0.3V

电阻比：0.47

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

最大输入电压(VI(off))：1.7V@100μA，5V

输入电阻：47kΩ

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1