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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
功率：2.4W€64.9W
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
功率：2.4W€64.9W
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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