品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N06TL
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N06TL
功率:15W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:109mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W€2.3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.385nF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
包装清单:商品主体 * 1
库存: