品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF016N05TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL110GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6M3TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:230mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6K3TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6M2TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:1.5A€1A
类型:N和P沟道
导通电阻:240mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):US6M2TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@10V
连续漏极电流:1.5A€1A
类型:N和P沟道
导通电阻:240mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KA4TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H030TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: