采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
