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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：AO3407A
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阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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类型：P沟道
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阈值电压：3V@250µA
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输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
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规格型号(MPN)：AO3407A
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功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
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阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
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连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
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连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
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连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
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输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
连续漏极电流：4.2A
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：14.3nC@4.5V
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工作温度：150℃
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
连续漏极电流：4.2A
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：14.3nC@4.5V
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导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
连续漏极电流：4.2A
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：14.3nC@4.5V
输入电容：700pF@15V
工作温度：150℃
导通电阻：52mΩ@4.1A，10V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.97W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.97W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50EPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€455mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50EPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€455mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.97W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.97W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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