采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：04+
规格型号(MPN)：SI4435DY
输入电容：1604pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：8.8A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
栅极电荷：124nC@10V
功率：2.5W
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675BZ
输入电容：2470pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：13mΩ@11A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
栅极电荷：62nC@10V
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
输入电容：1604pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：8.8A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
栅极电荷：124nC@10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：23+
规格型号(MPN)：FDS9435A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：14nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：5.3A
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
输入电容：528pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7240TRPBF
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：10.5A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.5A，10V
功率：2.5W
输入电容：9250pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
输入电容：1604pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：8.8A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：150mΩ@3A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：14nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：5.3A
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
输入电容：528pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
输入电容：1872pF@20V
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：14nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：5.3A
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
输入电容：528pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：04+
规格型号(MPN)：SI4435DY
输入电容：1604pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：8.8A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"24+"：32300}
规格型号(MPN)：NDS9407
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：150mΩ@3A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675BZ
输入电容：2470pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：13mΩ@11A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
栅极电荷：62nC@10V
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
