品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:-1.13A
漏源电压:-30V
导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
输入电容:200pF@15V
栅极电荷:10nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:1.13A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-1.13A
类型:P-Channel
导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V
漏源电压:-30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-1.13A
类型:P-Channel
导通电阻:200mΩ@-1.95A,-10V
漏源电压:-30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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