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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:4.1A€5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7423DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4413ADY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4413ADY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4413ADY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:95nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:4.1A€5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:64mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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