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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD417
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD417
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB4184
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB4184
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
