品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.9W€73W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@70µA
连续漏极电流:14.8A€64A
ECCN:EAR99
输入电容:1450pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:40nC@5V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:5200pF@15V
阈值电压:2V@70µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: