品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
功率:513mW€6.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
漏源电压:60V
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6482
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2000pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€63W
类型:N沟道
连续漏极电流:5.5A€28A
导通电阻:37mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD442G
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:13A€40A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:68nC@10V
功率:6.2W€60W
输入电容:1920pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:18mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:112pF@50V
栅极电荷:4.4nC@10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
生产批次:2233
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:12A€60A
栅极电荷:14.5nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
阈值电压:2.7V@250µA
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2W€25W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.3A€12A
输入电容:942pF@50V
漏源电压:100V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:47A€100A
输入电容:14765pF@15V
功率:3.3W€125W
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
栅极电荷:206nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:12A€60A
栅极电荷:14.5nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
功率:66W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
功率:4.1W€39W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:54mΩ@5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:5.5A€17A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4482
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2000pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
连续漏极电流:6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:47A€100A
输入电容:14765pF@15V
功率:3.3W€125W
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
栅极电荷:206nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
栅极电荷:6.8nC@10V
功率:580mW
输入电容:190pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
功率:513mW€6.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
漏源电压:60V
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:1.6W€15.6W
输入电容:215pF@40V
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:942pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
栅极电荷:6.8nC@10V
功率:580mW
输入电容:190pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6482
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2000pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€63W
类型:N沟道
连续漏极电流:5.5A€28A
导通电阻:37mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:47A€100A
输入电容:14765pF@15V
功率:3.3W€125W
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
栅极电荷:206nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT280ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:6.8nC@10V
导通电阻:385mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:1.5A
功率:770mW
输入电容:195pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:942pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:560mW€6.25W
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:646pF@30V
导通电阻:60mΩ@3.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
阈值电压:2.7V@250µA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
栅极电荷:3.8nC@10V
导通电阻:140mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:250pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
功率:478mW€8.36W
输入电容:646pF@30V
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
栅极电荷:6.8nC@10V
功率:580mW
输入电容:190pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB95ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:1.6W€15.6W
连续漏极电流:2.8A
输入电容:504pF@40V
栅极电荷:14.9nC@10V
导通电阻:105mΩ@2.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:1.6W€15.6W
输入电容:215pF@40V
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: