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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    阈值电压:2.7V@250µA

    功率:513mW€6.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    漏源电压:60V

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6482 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6482 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6482

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:2000pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€63W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:5.5A€28A

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD442G 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD442G 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD442G

    阈值电压:2.7V@250µA

    连续漏极电流:13A€40A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:68nC@10V

    功率:6.2W€60W

    输入电容:1920pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT560ENEAX

    阈值电压:2.7V@250µA

    导通电阻:715mΩ@1.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:112pF@50V

    栅极电荷:4.4nC@10V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    生产批次:2233

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1150pF@30V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:12A€60A

    栅极电荷:14.5nC@10V

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    功率:66W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6484 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6484 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6484

    阈值电压:2.7V@250µA

    导通电阻:79mΩ@7.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2W€25W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.3A€12A

    输入电容:942pF@50V

    漏源电压:100V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7650DC

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:47A€100A

    输入电容:14765pF@15V

    功率:3.3W€125W

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@36A,10V

    栅极电荷:206nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1150pF@30V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:12A€60A

    栅极电荷:14.5nC@10V

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    功率:66W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7254 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7254 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7254

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@75V

    功率:4.1W€39W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:54mΩ@5A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:5.5A€17A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4482 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4482 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4482

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:2000pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,10V

    连续漏极电流:6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7650DC

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:47A€100A

    输入电容:14765pF@15V

    功率:3.3W€125W

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@36A,10V

    栅极电荷:206nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1150pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:60A

    功率:66W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV280ENEAR

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.1A,10V

    栅极电荷:6.8nC@10V

    功率:580mW

    输入电容:190pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1150pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:60A

    功率:66W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    阈值电压:2.7V@250µA

    功率:513mW€6.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    漏源电压:60V

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:1.6W€15.6W

    输入电容:215pF@40V

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    阈值电压:2.7V@250µA

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:942pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV280ENEAR

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.1A,10V

    栅极电荷:6.8nC@10V

    功率:580mW

    输入电容:190pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6482 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6482 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6482

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:2000pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€63W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:5.5A€28A

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7650DC

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:47A€100A

    输入电容:14765pF@15V

    功率:3.3W€125W

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@36A,10V

    栅极电荷:206nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT280ENEAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT280ENEAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT280ENEAX

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:6.8nC@10V

    导通电阻:385mΩ@1.5A,10V

    连续漏极电流:1.5A

    功率:770mW

    输入电容:195pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    阈值电压:2.7V@250µA

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:942pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1150pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:60A

    功率:66W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN55ENEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN55ENEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN55ENEX

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:560mW€6.25W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:646pF@30V

    导通电阻:60mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1150pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:14.5nC@10V

    连续漏极电流:60A

    功率:66W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS62934 起订15000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS62934 起订15000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS62934

    阈值电压:2.7V@250µA

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:3.8nC@10V

    导通电阻:140mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:250pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.1A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:478mW€8.36W

    输入电容:646pF@30V

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV280ENEAR

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.1A,10V

    栅极电荷:6.8nC@10V

    功率:580mW

    输入电容:190pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB95ENEAX 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB95ENEAX 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB95ENEAX

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:1.6W€15.6W

    连续漏极电流:2.8A

    输入电容:504pF@40V

    栅极电荷:14.9nC@10V

    导通电阻:105mΩ@2.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:1.6W€15.6W

    输入电容:215pF@40V

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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