采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A30PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1651pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMG45UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW€4.35W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
