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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：45pF@10V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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