采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3020LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1802pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：490，"22+"：27416，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7470TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：37880，"23+"：11218}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0811NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@12V
连续漏极电流：19A€41A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3020LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1802pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2748pF@20V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
