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    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 4V@250µA
    漏源电压: 650V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订1个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订1个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL10N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL24N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL24N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL24N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65K 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65K 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFU9N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STFU9N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU9N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:764pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:718pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB11S65L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB11S65L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB11S65L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:198W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB11S65L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB11S65L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB11S65L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:198W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB11S65L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB11S65L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB11S65L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:198W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N65EF-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1749pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:271mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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