采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
