采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1404ZSTRL
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
输入电容：4340pF@25V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：110A
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3247pF@25V
栅极电荷：146nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
输入电容：5310pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
导通电阻：7mΩ@82A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
栅极电荷：220nC@10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：106A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：130nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：84A
输入电容：3210pF@25V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
栅极电荷：130nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：57A
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
栅极电荷：130nC@20V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：25mΩ@56A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
栅极电荷：130nC@20V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：25mΩ@56A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：130nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：84A
输入电容：3210pF@25V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
