品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90330E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:35.1A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
输入电容:1172pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
规格型号(MPN):FDMS004N08C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"09+":23200}
规格型号(MPN):NTB5412NT4G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3220pF@25V
导通电阻:14mΩ@30A,10V
功率:125W
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CP ROG
输入电容:981pF@100V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
漏源电压:700V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24NM60N
连续漏极电流:17A
导通电阻:190mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840ASTRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1018pF@25V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):MCB70N10YB-TP
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
功率:125W
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
输入电容:2270pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF840STRRPBF
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:35.8A
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
输入电容:1172pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70090E-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1950pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFBF30S-GE3
导通电阻:3.7Ω@2.2A,100V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:125W
栅极电荷:78nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:3.6A
输入电容:1200pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90330E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.1A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: