品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:17.6A€70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1083pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:11.7A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:17.6A€70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: