首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    包装方式
    阈值电压
    功率
    行业应用
    类型
    工作温度
    漏源电压
    连续漏极电流
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 5V@250µA
    功率: 250W
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STB43N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB43N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB43N65M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N50DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:84mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    ST Mosfet场效应管 STB43N65M5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB43N65M5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB43N65M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":330,"23+":122}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STB46N30M5
    ST Mosfet场效应管 STB46N30M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB46N30M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4240pF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:202
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STB46N30M5
    ST Mosfet场效应管 STB46N30M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB46N30M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4240pF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@26.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧