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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:27A€60A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5W€38W

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    输入电容:1470pF@15V

    栅极电荷:32nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:1.6A

    输入电容:140pF@5V

    功率:420mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7804 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7804 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7804

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7406

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€15.5W

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A€25A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LK3-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    功率:1.6W

    栅极电荷:22nC@10V

    连续漏极电流:27A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024SFG-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024SFG-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:10.5nC@10V

    输入电容:479pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:250mA

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    类型:P沟道

    功率:300mW

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:51.16pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3

    连续漏极电流:30A€60A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5W€43W

    导通电阻:3.6mΩ@10A,10V

    输入电容:1710pF@15V

    栅极电荷:36.2nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4S-13

    导通电阻:2.4Ω@300mA,10V

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    功率:370mW

    类型:P沟道

    输入电容:51.16pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6.7mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:16.2A€40.5A

    栅极电荷:25.5nC@10V

    功率:3.2W€19.8W

    ECCN:EAR99

    输入电容:985pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    连续漏极电流:38.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订42000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订42000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340ADT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340ADT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3

    功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V€1290pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:6.8A

    功率:660mW

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6204 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6204 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6204

    输入电容:670pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€24A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:10nC@10V

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:1.9W€31W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3037LSSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3037LSSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3037LSSQ-13

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    功率:1.2W

    输入电容:969pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:17.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6366E 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6366E

    功率:46W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:80nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:34A

    输入电容:3020pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7406 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7406

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€15.5W

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:9A€25A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LK3-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LK3-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1241pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    功率:1.6W

    栅极电荷:22nC@10V

    连续漏极电流:27A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4466SSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4466SSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4466SSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    功率:1.42W

    类型:N沟道

    输入电容:478.9pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA84DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA84DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA84DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:60A

    输入电容:1535pF@15V

    功率:34.7W

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    功率:14.7W

    连续漏极电流:30.6A

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V

    输入电容:760pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LDV-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LDV-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3016LDV-13

    输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道互补型

    阈值电压:2.4V@250µA

    连续漏极电流:21A€15A

    功率:900mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA88DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA88DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA88DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:12.5nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6.7mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:25W

    连续漏极电流:45.5A

    输入电容:985pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON3414 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON3414 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON3414

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:690pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:250mA

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    类型:P沟道

    功率:300mW

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:51.16pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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