品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:27A€60A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€38W
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
输入电容:1470pF@15V
栅极电荷:32nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:1.6A
输入电容:140pF@5V
功率:420mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
导通电阻:21mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7406
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€15.5W
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A€25A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.6W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024SFG-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:900mW
栅极电荷:10.5nC@10V
输入电容:479pF@15V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
类型:P沟道
功率:300mW
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:51.16pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€43W
导通电阻:3.6mΩ@10A,10V
输入电容:1710pF@15V
栅极电荷:36.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-13
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
功率:370mW
类型:P沟道
输入电容:51.16pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.7mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:16.2A€40.5A
栅极电荷:25.5nC@10V
功率:3.2W€19.8W
ECCN:EAR99
输入电容:985pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
连续漏极电流:38.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3
功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V€1290pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:6.8A
功率:660mW
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:15.3A€38.3A
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6204
输入电容:670pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A€24A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:12mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.9W€31W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3037LSSQ-13
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
功率:1.2W
输入电容:969pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:17.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
输入电容:3020pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7406
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€15.5W
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A€25A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LK3-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1241pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.6W
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
功率:1.42W
类型:N沟道
输入电容:478.9pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA84DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
输入电容:1535pF@15V
功率:34.7W
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
功率:14.7W
连续漏极电流:30.6A
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
输入电容:760pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LDV-13
输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道互补型
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:21A€15A
功率:900mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA88DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:12.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.7mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:25W
连续漏极电流:45.5A
输入电容:985pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3414
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:10.5A
导通电阻:17mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
类型:P沟道
功率:300mW
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:51.16pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: