品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:64.6A€56.7A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1516pF@75V
漏源电压:150V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-E3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:36.8A
功率:69.4W
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1070pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:47nC@10V
功率:6.25W€104W
输入电容:1286pF@75V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
导通电阻:18mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.8nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
输入电容:365pF@75V
类型:P沟道
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-RE3
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:64.6A€56.7A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1516pF@75V
漏源电压:150V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:36.8A
功率:69.4W
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1070pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-RE3
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:64.6A€56.7A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1516pF@75V
漏源电压:150V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR622DP-T1-RE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1516pF@75V
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:12.6A€51.6A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":3935,"22+":2927}
规格型号(MPN):FDMS8D8N15C
功率:2.7W€132W
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:12.2A€85A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3600pF@75V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:8.8mΩ@45A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.8nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
输入电容:365pF@75V
类型:P沟道
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
功率:15.6W
类型:P沟道
连续漏极电流:1.6A
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:155pF@75V
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1328
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:47nC@10V
输入电容:1286pF@75V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
导通电阻:18mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR622DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
输入电容:1516pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:31nC@7.5V
连续漏极电流:51.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-RE3
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:64.6A€56.7A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1516pF@75V
漏源电压:150V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:36.8A
功率:69.4W
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1070pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":978}
规格型号(MPN):FDMS8D8N15C
功率:2.7W€132W
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:12.2A€85A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3600pF@75V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:8.8mΩ@45A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: