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    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 2.5V@250µA
    漏源电压: 40V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:800+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4224pF@20V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@20V

    连续漏极电流:141A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G07P04S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@20V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2456pF@20V

    连续漏极电流:16A€96A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3441_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3441_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:505pF@20V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N04LCP ROG 起订4个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N04LCP ROG 起订4个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5509pF@20V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):45P40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P04LCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P04LCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P04LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2783pF@20V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2456pF@20V

    连续漏极电流:16A€96A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):45P40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):45P40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):45P40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LDCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LDCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:8A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40
    谷峰 Mosfet场效应管 45P40

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):45P40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2456pF@20V

    连续漏极电流:16A€96A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3441_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3441_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:505pF@20V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:88mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2456pF@20V

    连续漏极电流:16A€96A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4480
    UMW Mosfet场效应管 AO4480

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
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