采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM024NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4224pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM051N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2456pF@20V
连续漏极电流：16A€96A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1282pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5509pF@20V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM051N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2456pF@20V
连续漏极电流：16A€96A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM051N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2456pF@20V
连续漏极电流：16A€96A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM051N04LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2456pF@20V
连续漏极电流：16A€96A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM110NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1269pF@20V
连续漏极电流：12A€54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
