采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1079X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：1.44A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG302PU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
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规格型号(MPN)：SI1079X-T1-GE3
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：1.44A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，4.5V
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
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输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
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连续漏极电流：1.44A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
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功率：330mW
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输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
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漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：26nC@10V
类型：P沟道
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：1.44A
导通电阻：100mΩ@1.4A，4.5V
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栅极电荷：0.35nC@4.5V
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输入电容：27.2pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
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