采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
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功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.3V@250µA
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