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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2007UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4621pF@10V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068L-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068L-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3068L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:15.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3401A 起订71个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3401A 起订71个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3401A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:12.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2007UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4621pF@10V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3401A 起订52个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3401A 起订52个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3401A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:12.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28XPEAR 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28XPEAR 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28XPEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068LVT-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068LVT-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3068LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3401A 起订46个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3401A 起订46个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3401A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:12.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2220LFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3401_R1_00001 起订61个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3401_R1_00001 起订61个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3401_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2007UFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2007UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4621pF@10V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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