品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4801A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4801A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4801A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: