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    品牌: NEXPERIA
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.3V@250µA
    类型: N沟道
    当前匹配商品:40+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:91
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

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    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订17个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订17个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

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    类型:N沟道

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    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

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    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1200
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:39
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:51
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订12000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订12000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV13XNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV13XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@10V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@7.3A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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