品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32304
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5970pF@15V
连续漏极电流:40A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N-Channel
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:602pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
输入电容:602pF@15V
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404A_R1_00001
输入电容:602pF@15V
导通电阻:23mΩ@5.6A,10V
栅极电荷:12.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
类型:N-Channel
输入电容:343pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:5.6A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3030LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: