采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
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栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
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功率：2.5W€20.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
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功率：2.8W€23W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
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输入电容：454pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
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栅极电荷：4.3nC@10V
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19538Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
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栅极电荷：5.6nC@10V
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
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栅极电荷：5.6nC@10V
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
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功率：2.5W€20.2W
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类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
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功率：2.5W€20.2W
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连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.8W€23W
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输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
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功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：454pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
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