品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:111W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: