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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 42nC@10V
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

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    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

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    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

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    栅极电荷:42nC@10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

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    栅极电荷:42nC@10V

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    连续漏极电流:93A

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    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

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    功率:104W

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    栅极电荷:42nC@10V

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

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    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

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    输入电容:3.365nF@60V

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    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

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    栅极电荷:42nC@10V

    漏源电压:120V

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    连续漏极电流:93A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.7nF@15V

    连续漏极电流:19A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.7nF@15V

    连续漏极电流:19A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.7nF@15V

    连续漏极电流:19A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订4500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订4500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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