品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A€85A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A€85A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6120pF@15V
连续漏极电流:26A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4414pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@9.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A€85A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A€85A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A€85A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6410pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6410pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":29627,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6410pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6410pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6120pF@15V
连续漏极电流:26A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: