品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50034E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4186DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3630pF@10V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: