采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.99W€55.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1088pF@20V
连续漏极电流：14.4A€64.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.06W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.06W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.99W€55.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1088pF@20V
连续漏极电流：14.4A€64.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFDFW-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.06W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFDFW-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.06W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.06W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3622，"21+"：20000，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.99W€55.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1088pF@20V
连续漏极电流：14.4A€64.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.06W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@30V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
