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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 12nC@10V
    漏源电压: 40V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:70+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS010N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS010N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€32W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:13A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1018
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C471NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C471NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D30-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D30-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@20V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C471NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C471NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:4
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