品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
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输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
输入电容:817pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:47W
连续漏极电流:66A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@1mA
导通电阻:6mΩ@15A,10V
栅极电荷:13.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
输入电容:817pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:47W
连续漏极电流:66A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@1mA
导通电阻:6mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:70W
输入电容:350pF@30V
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: