采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
功率：3.2W€68W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
功率：3.2W€68W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
功率：3.2W€68W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：24A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
功率：56W
输入电容：686pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD478
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
连续漏极电流：11A
类型：N-Channel
漏源电压：100V
导通电阻：140mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
栅极电荷：13nC@10V
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：450pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
连续漏极电流：3.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_BE3
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：553pF@20V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
连续漏极电流：8A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
输入电容：760pF@40V
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NWFTAG
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@45µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
功率：3.2W€68W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@12A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：60W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：24A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7D25-40EX
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：15W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：25mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：460pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：31mΩ@6A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：555pF@10V
类型：N-Channel
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
连续漏极电流：8A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD640N06LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2V@14µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@13A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：553pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
