品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:41W
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@140µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:56mΩ
类型:N-Channel
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:1.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6362
栅极电荷:13nC@10V
功率:6.2W€31W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:27A€60A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
输入电容:820pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@78µA
连续漏极电流:9.2A€45A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:870pF@15V
功率:2.5W€30W
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:18A€63A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":4720,"23+":42500,"MI+":2500}
规格型号(MPN):IPD60R950C6ATMA1
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:37W
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3.5V@130µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:41W
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@140µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:56mΩ
类型:N-Channel
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:56mΩ
类型:N-Channel
输入电容:370pF@20V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LDM-7
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
连续漏极电流:6.9A
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:33mΩ@6.9A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
功率:26W
类型:N沟道
输入电容:360pF@50V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15.1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC045N03L5SATMA1
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:870pF@15V
功率:2.5W€30W
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:18A€63A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@250µA
输入电容:434pF@50V
导通电阻:220mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N95K5
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:950V
导通电阻:1.25Ω@3A,10V
功率:90W
阈值电压:5V@100µA
连续漏极电流:9A
输入电容:450pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: