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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 13nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

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    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

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    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

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    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

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    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:41W

    连续漏极电流:9A

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    阈值电压:4V@140µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    功率:26W

    类型:N沟道

    输入电容:360pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15.1A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6362 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6362 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6362

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:6.2W€31W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:27A€60A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    输入电容:820pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    功率:83W

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€62W

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    输入电容:965pF@50V

    阈值电压:4V@78µA

    连续漏极电流:9.2A€45A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:870pF@15V

    功率:2.5W€30W

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:18A€63A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R950C6ATMA1 起订813个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R950C6ATMA1 起订813个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":4720,"23+":42500,"MI+":2500}

    规格型号(MPN):IPD60R950C6ATMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:37W

    导通电阻:950mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:3.5V@130µA

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:4.4A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:41W

    连续漏极电流:9A

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    阈值电压:4V@140µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    功率:26W

    类型:N沟道

    输入电容:360pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15.1A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    功率:26W

    类型:N沟道

    输入电容:360pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15.1A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:6.9A

    阈值电压:2.1V@250µA

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    功率:26W

    类型:N沟道

    输入电容:360pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15.1A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC045N03L5SATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC045N03L5SATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC045N03L5SATMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:870pF@15V

    功率:2.5W€30W

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:18A€63A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    功率:83W

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:434pF@50V

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6N95K5

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:950V

    导通电阻:1.25Ω@3A,10V

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    连续漏极电流:9A

    输入电容:450pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    功率:83W

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

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