首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 30nC@10V
    阈值电压: 3V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LFV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT68M8LFV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT68M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2078pF@30V

    连续漏极电流:54.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@15V

    连续漏极电流:16A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7682

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7682

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1885pF@15V

    连续漏极电流:16A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@50V

    连续漏极电流:16.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7103TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7103TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD20N10-66L-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@50V

    连续漏极电流:16.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧